美國國際貿易委員會（ITC）近日宣布，英諾賽科侵犯了英飛凌所擁有的氮化鎵（GaN）技術專利。這一初步判決標誌著英飛凌在這場專利爭議中取得了勝利。
此項裁定涉及英飛凌持有的一項重要氮化鎵技術專利，該技術在功率半導體領域具有廣泛應用。氮化鎵材料因其出色的電氣性能，成為下一代高效能半導體元件的關鍵材料之一。英飛凌作為全球領先的功率半導體供應商，長期致力於氮化鎵技術的研發和商業化。
此次裁定不僅對英飛凌具有重要意義，也反映了國際市場對知識產權保護的重視。英諾賽科作為中國重要的功率半導體製造商，此次侵權指控的確認可能對其市場地位和國際擴張策略產生影響。未來，該公司可能需要調整其技術路線，以避免進一步的法律糾紛。
美國國際貿易委員會的初步判決仍需經過最終審核，但這一決定已對市場產生了一定影響。業界專家認為，此裁定可能對全球氮化鎵技術市場的發展趨勢和競爭格局產生深遠影響，尤其是在中美科技競爭日益激烈的背景下。